单结晶体管参数项目的意义
1.两基极电阻
两基极电阻是指单结晶体管两个基极b1、b2之间硅片材料的电阻值，与PN结无关，如图6-7所示。两基极电阻常用Rbb表示。
单结晶体管型号组成部分
通常Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。温度降低，Rbb变小；温度升高，Rbb就变大，表现为正温度系数。温度系数一般为7×10−3～9×10−3/℃。
Rbb的大小，与两基极加的测试电压 Ubb有关。Ubb越高，Rbb越小；Ubb越低，Rbb越大。例如，测试BT33C型单结晶体管的Rbb，如果测试条件为Ubb=20V、Ie=0A，Rbb为3～6kΩ。如果测试条件为 Ubb=3V、Ie=0A，则 Rbb 为4.5～12kΩ。
2.分压比
分压比的意义前面介绍过。从某种意义上讲，单结晶体管的分压比η，可以说是它的分阻比，如图6-8所示。
单结晶体管等效图
为什么分压比是一个具有一定范围的动态值呢？由前面讨论可知，两基极电阻Rbb由Rb1、Rb2两部分组成。通常Rb2的阻值基本维持在一个不变的数值上，而Rb1的电阻值则是一个动态值。当管子工作在负阻区且导通较大发射极电流时，Rb1的电阻值很小，但不会为零值。所以就使分压比 
也较小（0.3～0.5）。当管子工作在发射极电流微小的截止区时，Rb1 的电阻值很大，但不会是Rb1 = Rbb。所以就使分压比较大（0.8～0.9）。分压比是单结晶体管的一项重要参数，可衡量发射极电流对基极电变，表明管子没有控制作用，可以说管子已损坏了。流的控制能力。如果无论怎样改变Ue，Rb1 也不随着变化，这时分压比 就不会改
3.反向电压
反向电压，常用 Ueb1o表示。它的定义是，当发射极导通反向电流为 Ieo=1μA时，e–b1极间能承受的最高反向电压，如图6-9（a）所示。
单结晶体管的反向电压
从图6-9（a）可看出，反向电压 Ueb1o实际上是指PN结能够承受的反向电压。在应用中，如果e–b1极间所加的反向电压超过Ueb1o，PN结将被反向击穿损坏。
一般单结晶体管的反向电压参数Ueb1o为60V，见表6-1至表6-3。
需要说明，有的参数手册中，把单结晶体管反向电压定义为e–b2极能加的最高电压，用Ueb2o表示。这样定义的反向电压参数，可在图6-9（b）中进行分析。
单结晶体管在应用中，都要像图6-9（b）那样加工作电压。很清楚，Ub2比 Ub1的电压高，Ue也比Ub1的电压高。又由于Eb＞Ee，所以Ub2就比Ue高，不难理解，e–b2极间PN结承受的是反向电压。e–b2极间PN结在不被击穿的前提下，第二基极最高所能加的电压，就是反向电压参数 Ueb2o的含义。可见反向电压 Ueb1o与 Ueb2o都是指管子PN结能够承受的最高反向电压。
管子应用时，如果e–b2 极电压超过 Ueb2o，PN结就会被反向击穿损坏。因此实际应用单结晶体管时，e–b2 极电压不应超过反向电压 Ueb2o，一般不应大于60V，见后面的表6-4。
4.反向电流
单结晶体管反向电流，是指e–b1极间加反向电压（手册中常用 Uebo表示）时，流过PN结的反向电流值。反向电流参数常用Ieo表示，如图6-10所示。
单结晶体管的反向电流
测试时，通常是在e–b1极加60V的反向电压，单结晶体管反向电流一般都很小，大多小于2μA，见后面表6-1至表6-4。
反向电流 Ieo是衡量单结晶体管质量的参数之一。如果实际测得管子的反向电流 Ieo太大，则表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电故障。e–b1极间是一个PN结，如果反向电流较大，则PN结的反向电阻就小。可见，反向电流Ieo，可以通过测量单结晶体管的反向电阻来判断。一般e–b1极间反向电阻应大于5kΩ才为正常。
5.饱和压降
饱和压降是指在两基极b1–b2间加一定电压的 Ubb，且发射极导通一定正向电流 Ie时，e–b1极间产生的电压降。饱和压降常用Ue（sat）表示，如图6-11所示。测试通常是在两基极间电压Ubb = 20V、发射极导通电流Ie=50mA时进行的，一般单结晶体管的饱和压降Ue（sat）小于5V，见表6-1至表6-4.
单结晶体管饱和压降
要指出的是，单结晶体管的饱和压降并不是单纯PN结的压降，其中还包含了第一基极电阻Rb1的压降。
6.调制电流
调制电流有时也称为调变电流，是指两基极加一定电压的 Ubb，发射极导通一定电流 Ie时，基极回路产生的电流，单结晶体管调制电流常用Ib2表示，如图6-12所示。测试是在两基极加20V电压、发射极导通50mA电流时进行的，一般单结晶体管的调制电流多在几毫安至几十毫安之间，见表6-1至表6-4。
单结晶体管的调制电流
调制电流也体现了发射极电流Ie对基极电流Ibb的控制作用。
7.峰点电流
峰点电流也叫峰值电流，是指两基极间加规定电压Ubb，且e–b1极间电压达到正向峰值电压UP时，发射极开始导通的正向电流值。峰点电流常用IP表示，如图6-6所示。峰点电流就是单结晶体管开始导通的电流值。
峰点电流通常是在 Ubb=20V时测出的，一般单结晶体管峰点电流 IP为几微安，见表6-1至表6-4。
峰点电流 IP是衡量单结晶体管质量的又一项参数，如果单结晶体管在导通发射极电流后，一直保持着峰点电流IP的起始值不变，就表明单结晶体管的正向特性已损坏。
8.谷点电流
图6-6 中特性曲线有一个谷点V，谷点电压产生的发射极电流就是谷点电流，常用 IV表示。从特性曲线分析可知，谷点电流是因负阻特性变化使 Ue降到最低点时对应的发射极电流值。这项参数是在 Ubb=20V的条件下进行测试的，通常谷点电流大于1.5mA。见表6-3、表6-4。
单结晶体管谷点电流 IV是衡量管子控制能力的又一项参数，谷点电流变化范围大，表明单结晶体管Rb1的动态范围大，引起基极电流的变化范围较大，发射极对基极电流的控制能力强。
9.谷点电压
谷点电压的定义是，当单结晶体管导通谷点电流 IV时对应的发射极电压，常用 UV表示。测试这项参数，是在 Ubb=20V的条件下进行的，一般单结晶体管的谷点电压小于4V。见表6-3、表6-4。
谷点电压 UV是衡量管子控制灵敏度的一项参数，UV越小，控制灵敏度越高；反之，控制灵敏度越低。
10.耗散功率
单结晶体管工作时，各电极要加一定的电压并导通一定的电流。单结晶体管导通电流（主要是指 Ibb）后，就要产生热量，将电功率变成热量耗散掉，这就是管子的耗散功率，常用Pb2M表示。单结晶体管耗散功率一般都在型号第四部分用数字标明，前面讲过。
耗散功率，是衡量单结晶体管综合承受能力的一项参数，它与两基极电压 Ubb和导通电流 Ibb有关。工作电压 Ubb越高，导通电流 Ibb越大，单结晶体管工作中积累的热量就越多，使单结晶体管温度升高得更快。如果单结晶体管的耗散功率小于产生的热量，单结晶体管就会承受不了，被永久性烧毁。相反地，如果耗散功率大于它产生的热量，单结晶体管就能够承受，可以安全地工作。
