IGBT是绝缘栅双极晶体管的英文Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。
IGBT是绝缘栅双极型功率管，是由BJIT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。被应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
绝缘栅双极型晶体管（ IGBT）的由来
电力晶体管（GTR ）属于双极型电流驱动器件，其优点是通流能力很强，但不足之处是开关速度相对低，驱动功率大，驱动电路复杂，而 MOSFET 是单极型电压驱动器件，其优点是开关速度快，输入阻抗高，所需驱动功率小，而且驱动电路简单；缺点是导通压降大。
于是有人提出将这两类器件的优点，即 GTR 的低导通压降与 MOSFET 的高输入阻抗结合起来,制成复合型器件，通常称为 Bi MOS 器件，即绝缘栅双极型晶体管（ Insulate Gate Bipolar Transistor IGBT ）。
IGBT的电气符号
IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层（NPT-非寄通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个1结。
IGBT它综合了 GTR 和 MOSFET 的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。它自投入市场以来，应用领域现已成为中、大功率电力电子设备的主导器件。当前 IGBT 即应用水平已达到： 2500 6500V 600 2500A 。
